Powlekanie plazmowe metodą natrysku

Powlekanie plazmowe metodą natrysku jest metodą powlekania opartą na wytwarzaniu strumienia jonizowanego gazu plazmowego o wysokiej temperaturze. Materiał powlekający jest wtryskiwany do strumienia gazu plazmowego, zazwyczaj w postaci proszku, zmieszanego z gazem obojętnym. Strumień gazu plazmowego o temperaturze ponad 12000 K i prędkości 400-800 m/s jest źródłem ciepła i prędkości potrzebnej do stopienia i przemieszczenia materiału powlekającego na powierzchnię elementów. Następnie materiał powlekający twardnieje na powierzchni części grafitowych i tworzy spójną warstwę powlekającą.

Główne zalety:

  • Bardzo uniwersalna metoda powlekania, która pozwala na pokrywanie wieloma różnymi związkami, uzyskując w ten sposób różne właściwości powierzchni,
  • Wysoka temperatura plazmowego strumienia gazu pozwala na użycie do powlekania materiałów o wysokiej temperaturze topnienia, a tym samym na uzyskanie wysokiej odporności termicznej powlekanej powierzchni,
  • Wzrost trwałości, twardości i odporności na ścieranie powlekanej powierzchni,
  • Izolacjatermiczna i elektryczna, zwiększona odporność powierzchni powlekanej na szok termiczny,
  • Oferuje lepszą wydajność i obniża koszty utrzymania, co skutkuje dłuższą żywotnością.

Tlenek glinu (Al2O3)

Tlenek glinu jest najpowszechniejszym związkiem chemicznym o szerokim zastosowaniu przemysłowym. Powłoka z tlenku glinu jest bardzo odporna na ścieranie, chemicznie obojętna i stabilna w temperaturach średnich, w zależności od fazy krystalicznej i temperatury osadzania. Inne zalety to eliminacja łuku elektrycznego, bardzo dobre właściwości nieprzywierające powlekanej powierzchni, a warstwa obojętna działa jako separator pomiędzy elementami grafitowymi i metalowymi, zapobiegając nawęglaniu.

Dwutlenek cyrkonu (ZrO2)

Dwutlenek cyrkonu jest białym krystalicznym tlenkiem cyrkonu. Powłoki tlenkiem cyrkonu są zazwyczaj stabilizowane innymi pierwiastkami, takimi jak itr (w postaci tlenku itru (Y203)), aby jeszcze bardziej ulepszyć jego właściwości.